中国新闻网：中国学者开创第三类存储技术 破解国际难题
中国学者 率先成功开创第三类存储技术。他们研发的二维半导体准非易失存储原型器件，解决了以往国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。
复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队率先成功开创第三类存储技术。他们研发的二维半导体准非易失存储原型器件，解决了以往国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。
中国学者研发的准非易失性存储器写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是现有内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，还可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。
10日，这项研究在线发表于《自然·纳米技术》。该杂志在评审意见中表示，器件设计提升了相关电子应用领域的技术水平，该研究成果可谓重要里程碑。
据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如人们常用的U盘，在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒内写入数据，后者需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。
研究人员告诉记者，此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中极大降低存储功耗，同时还可实现数据有效期截止后自然消失。在特殊应用场景中，这样的技术解决了保密性和传输的矛盾。
据了解，这项研究创新性地选择了多重二维材料堆叠构成了相关晶体管。周鹏形象地介绍：“一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出；另一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。对‘写入速度’与‘非易失性’的调控，就在于这两部分的比例。”
团队发现，利用二维半导体实现新型结构存储，在集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器方面潜力巨大。中国学者研发的准非易失性存储器未来将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多个领域发挥重要作用。
